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011/Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits 放射線関連 洋書
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商品詳細情報
| 管理番号 |
新品 ：52186225170
中古 ：52186225170-1 |
メーカー | e50b54a56a0323 | 発売日 | 2025-05-01 03:24 | 定価 | 10000円 | ||
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| カテゴリ | |||||||||
011/Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits 放射線関連 洋書
First Detection of Global Ionospheric Disturbances Associated with the Most Powerful Gamma Ray Burst GRB221009A,Comprehensive study of the radiation effects on the LDMOS transistors - ScienceDirect,A Review of Semiconductor Based Ionising Radiation Sensors Used in Harsh Radiation Environments and Their Applications,Scalable high performance radio frequency electronics based on large domain bilayer MoS2 | Nature Communications,Acousto-optic modulation of photonic bound state in the continuum | Light: Science & Applications
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